Origem
A origem dos aparelhos eletrônicos remonta às pesquisas de Thomas Alva Edison, que em 1883 descobriu o que chamamos hoje de "Efeito Edison", ou efeito termiônico.
TRANSISTOR FET é o acrônimo em inglês de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. História Primeira referência: patente feita em 1930, por Julius Edgar Lilienfeld, um pesquisador ucraniano nascido em 1882 e que imigrou para os EUA n a década de 20 do século passado. Sua idéia era controlar a condutividade de um material, por um campo elétrico transversal; mas o sistema proposto por Lilenfeld não funcionaria na prática. O domínio de semicondutores e da física necessária para a construção dos FETs só aparece no início dos anos cinqüenta do século passado. O FET é um desenvolvimento tecnológico posterior ao transistor de junção; mas é o elemento dominante, por suas características, em sistemas lógicos modernos. Imagem de microscópio eletrônico de um FET vertical, desenvolvido pela Bell Labs em 1999, com 50 nm de gate Esquema de um FET com nanotubo de carbono (diâmetro cerca de 1,5 nm) Atenção: Evite tocar a porta do FET. Minúsculas faíscas podem saltar de seu dedo para esse terminal de entrada, o que danificará interiormente o componente. Um resistor de 1 megohm ligado à porta do FET ajuda a protege-lo de ser danificado por faíscas acidentais em seu terminal de entrada. O circuito, entretanto, trabalhará perfeitamente, mesmo na ausência desse resistor de proteção. Do mesmo modo, não toque a parte metálica do fio de 'antena' (que deve ser um fio encapado).
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